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MOSFET場效應管上海優(yōu)質MOSFET場效應管批發(fā)供應雷卯供

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品　　牌：
LEIDITECH

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1

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齊全

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MOSFET場效應管上海優(yōu)質MOSFET場效應管批發(fā)供應雷卯供金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱 MOSFET。是一種可以使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為N-MOSFET與P-MOSFET, MOSFET 用于電路電子開關。 MOSFET的選用技巧： 1.選用N溝道還是P溝道，在低壓側開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常是出于對電壓驅動的考慮； 2.額定電壓越大，器件的成本就越高，VDS必須覆蓋電路額定工作電壓范圍并且注意溫度曲線； 3.確定額定電流，額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的相當大電流； 4.選好額定電流后，還必須計算導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而變化。器件功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越小；反之RDS(ON)就會要折中權衡的地方。對便攜式設計來說，采用較設計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升； 5.決定開關性能，是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要低，器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗，設計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。上海雷卯電子科技有限公司，品牌LEIDITECH，過壓過流保護元件專業(yè)供應商，MOSTET封裝有DFN5X6-8L， SOP-8， SOT-23， SOT-223-3L，SOT-323，SOT-363，TO-220-3L，TO-220F，TO-252-2L，TO-263-2L，TSSOP-8， DFN2X2-6L，DFN3.3X3.3，DFN3X3。 MOSFET可供應型號（請登錄雷卯官網(wǎng)具體查詢） LCE4090G LCE6045G LCE9926 SE4946 LCE3010S LCE6005AS LM3404 LCE3420 SE2306 2N7002 2N7002K BSS123 BSS138 LBSS138LT1G LM23T100V2 LCE3404 LCE3416 LCE6003Y LM23T20V06 LM2302 LMS2302AL LM2306A LM3400 LCE1502R LCE60P04Y LE3018 NTJD4401N LCEP0178A LCE65T1K2F LCE65T900F LCE65T180F LCE0208KA LCE3030K LCE3050K LCE6050KA LCE7560K LCEP01T13D LCE8205A LCE1205 LCE1216 LCE20P45Q LCE3035Q LCEP40T11G LCE30P12S LE405E LCE30P15S LCE0110AS LCE4009S LCE4435 LCE4801 LCE4953 LCE6008AS LCE9926 SE1505S LCE2305 LCE3415 SE3401AY BSS84 BSS123 LCE2301 LCE2302 LCE2303 LCE2304 LCE2305A LCE2333Y LCE3407 LCE6003 LM2309 LM3407 LMS2301AL SE2312 SE3401 LP25P20T5 LP25P21T5 LP25051T5 LP25151T5 LM6T20V3 LCE0106R LMSS84W 2SK3019 LSI1013XT1G PPT002P02 LCE1520 LCE6990 LCE01P30 LCEP01T11 LCEP60T12A LCE0205IA LCE01P13K LCE01P18K LCE01P30K LCE15P25JK LCE55P15K LCE60P50K LCE0140K LCE0140KA LCE6020AK LCE4606 LCE2003

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